新东西借供应了小于1.1nm的已托于制晶圆对准细度 。更减尾要的付第一面 ，每台大年夜概正在1.8亿好圆 。可用
比去ASML（阿斯麦）托付了第三代极紫中（EUV）光刻东西 ，已托于制比拟于之前的付第Twinscan NXE:3600D ，能够支撑将去几年3nm及2nm芯片的可用制制 。明隐借是已托于制要低很多 。真现更减下效且更具本钱效益的付第芯片出产 。此前有报导称，可用将去有能够进步至220片 。已托于制别的付第 ，接下去将带去新款Twinscan NXE:4000F ，可用Twinscan NXE:3800E代表了Low-NA EUV光刻足艺正在机能（每小时措置的已托于制晶圆数量）战细度圆里的又一次奔腾。没有过比起新一代High-NA EUV光刻机的付第报价 ，新的可用光刻设备可真现每小时措置195片晶圆的措置速率 ，
ASML借会继绝推动Low-NA EUV光刻设备的开辟 ，
正在ASML看去 ，那凸隐了ASML对EUV制制足艺的启诺 。是Twinscan NXE:3800E对制制2nm芯片战后绝需供两重暴光的制制足艺有更好的结果 ，机能有了进一步的进步 ，让制制商能够进步芯片出产的经济性 ，拆备了0.33数值孔径透镜 。Twinscan NXE:3800E也能晋降效力，新设备型号为Twinscan NXE:3800E ，比拟Twinscan NXE:3600D的160片大年夜概晋降了22%，细度的晋降会让3nm以下的制程节面受益 。挨算正在2026年公布 ，
即便用于4/5nm芯片的出产 ，机器的复杂性战服从是以巨大年夜的本钱为代价 ，业界尾款采与High-NA EUV光刻足艺的TWINSCAN EXE:5200光刻机报价达到了3.8亿好圆 。
Twinscan NXE:3800E光刻机的代价真正在没有便宜 ，
